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M395T5750CZ4-CE61 C-Die fully heatsink 240PIN 36C/DS 2R 1,8V 1,2" IDT AMB Pb-/Halogen-free RoHS PC2-5300 Warranty 2Y

Chiphersteller:Samsung , Chiporganisation:128Mx4 , Datenintegritätsprüfung:ECC , Form Faktor:FB long DIMM 240pin , Geschwindigkeit:667 MHz (PC2-5300) , Garantie:2 Jahre, ISO9001: , Jedec-Norm:Jedec Norm , Kapazität:2GB , Latenzzeit:CL5 , Modulhersteller:Samsung , Modulkonfiguration:256Mx72 , Modulmaße:133,35 x 30,35 x 8 mm, RAM-Merkmale:fully buffered , Technologie:DDR2 SDRAM , Typ:Serverspeicher , Versorgungsspannung:1.80 V,

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1GB Hynix DDR2-667 CL5 (64Mx8) (1,8V) FBGA

HYMP512U64EP8-Y5-A USA 3rd Gen. 240PIN 16C/DS 2R 1,8V 1,18" Pb-free Warranty 2Y

Chiphersteller:Hynix , Chiporganisation:64Mx8 , Datenintegritätsprüfung:non-ECC , Form Faktor:Long DIMM 240pin , Geschwindigkeit:667 MHz (PC2-5300) , Garantie:2 Jahre, ISO9001: , Jedec-Norm:Jedec Norm , Kapazität:1GB , Latenzzeit:CL5 , Metallüberzug:Gold , Modulhersteller:Hynix , RAM-Merkmale:unbuffered , Technologie:DDR2 SDRAM , Typ:Desktopspeicher , Versorgungsspannung:1.80 V,
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Chiporganisation:16Mx8 , Datenintegritätsprüfung:non-ECC , Form Faktor:SO-DIMM 144pin , Geschwindigkeit:PC100 , Garantie:2 Jahre, ISO9001: , Jedec-Norm:Jedec Norm , Kapazität:265MB , Latenzzeit:CL3 , Metallüberzug:Gold , Modulhersteller:OEM , RAM-Merkmale:unbuffered , Technologie:SDR , Versorgungsspannung:3.30 V,

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Chiphersteller:Samsung , Chiporganisation:16Mx16 , Datenintegritätsprüfung:non-ECC , Form Faktor:SO-DIMM 200pin , Geschwindigkeit:333 MHz (PC2700) , Garantie:2 Jahre, ISO9001: , Jedec-Norm:Jedec Norm , Kapazität:256MB , Latenzzeit:CL2.5 , Modulhersteller:OEM , RAM-Merkmale:unbuffered , Technologie:DDR SDRAM , Typ:Notebookspeicher , Versorgungsspannung:2.50 V,


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